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北京恒久ICP发射发谱仪ICP8000
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等离子刻蚀ICP
(E-chuck),以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器,及在基片背面保持一个氦冷却层,从而达到控制基片温度的作用。该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源,其
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PEAK Genius 3023氮气发生器配6490 QQQ和6550 Q-TOF质谱仪上Chip Cube应用
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质谱仪 ICP-MS100
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美国热电ICP-MS
等离子体状态高稳定性的同位素比 ICP-MS是获得认可的痕量元素分析和定量的高效技术。 其应用范围从半导体工业到地质和环保分析、从生物研究到材料科学。 ICP-MS最严重的限制是元素信号的多原子干扰
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5900 SVDV ICP-OES
全新的 Agilent 5900 SVDV ICP-OES 光谱仪专为希望实现高通量分析并最大程度降低每个样品成本的实验室而设计。SVDV 配置标配有高级阀系统 (AVS 7)、ICP
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8800 ICP-MS/MS
确保的性能,包括标配的 8800 主机型 (#100) 和半导体选项(#200)参数单位元素/比率8800#1008800#200 灵敏度 Mcps/ppm
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美国热电ICP-MS
和Infinity II型离子透镜技术,以chicane离子偏转装置的六极杆设计为基础,提供最低的背景噪声。 符合人机工效学设计的四极杆ICP-MS,其所用空间甚至小于一些AAS系统。创新的保护性
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AB SCIEX QTRAP 5500
【仪器性能】质量范围:5-1000 Da最高分辨率:> 12,000 FWHM(Trap)灵敏度:最高2400 amu/sec(QQQ),最高20,000 amu/sec(Trap)极性切换
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LC-ICP-MS形态分析解决方案LC-ICP-MS联用系统
zei小的仪器体积,占用更少的实验室空间可根据您各种需要做灵活配置、多模块设计方便升级四溶液通道设计PlasmaQuant MS ICP-MS部分高达1.5千兆计数/ppm (15亿计数
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